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美国万代半导体股份有限公司 (AOS),于2000年在美国加州成立总部,其卓越且完整的功率型金属氧化层场效电晶体(Power MOSFET),提供所有资讯科技产业製造者生产更加品质、更具优势成本与效率之产品。 为了提供客户更好之服务,目前于台湾与中国大陆亦拥有AOS销售代理据点。 今后美国万代半导体股份有限公司 (AOS)将致力提供客户更完整杰出的全系列电源管理方案,期许与客户共创双赢之局面。

Alpha and Omega Semiconductor,inc. 致力于通过持续开发新技术、产品和创新的解决方案,为客户提供卓越的设计、制造和响应服务。我们向市场推出的器件均针对客户产品具体需求而设计,受益的总是客户。我们的使命就是为客户、股东和员工带来价值。

我们自豪我们在功率半导体技术和商业运营的所有领域都拥有专业的知识。 我们在合作伙伴制造现场中安装专有的晶圆加工工艺和封装技术,帮助客户加快先进的电源产品的设计和制造。凭借我们专业的知识和经验,我们能改进亚微米制造厂的制造能力,使之以高性能的产品占领市场。
AOK20B135D1 基于正在申请专利的最新 AlphaIGBT 技术平台,拥有业界领先的低 VCE(SAT)和快速关断能力,能够降低导通和开关操作时产生的功率损耗。最低 1350 V 的最小 BVCES 额定值允许更大的安全裕量,以防电压瞬态造成雪崩破坏。而且,非常平滑的关断电流波形意味着更小的 EMI。这一解决方案针对家用电器应用,包括电磁炉、电饭煲和基于逆变器的微波炉。
全新 25 V 和 30 V MOSFET 采用 AOS 的专有沟槽式功率 MOSFET 技术来实现出色的低品质因数 (Rds (on) x Qg),适用于高速开关领域,如工作频率超过 600 kHz 的最新 DC/DC 转换器。 AON7536 通过将 Qg和 Crss 降至最小来对高压侧开关进行优化,因此降低了开关功率损耗。
Alpha and Omega 提供采用超薄模制芯片级封装(MCSP) 的低导通电阻 8 V、20 V 和 30 V MOSFET。 AOS 利用 MCSP 封装技术,在绿色保护性(无卤素)模塑料中实现了低导通电阻 MOSFET 硅器件。
Alpha and Omega 提供采用 DFN 5 x 6 和 Micro-DFN 3.2 x 2 封装的共漏极配置双通道 MOSFET 系列 。 这些器件适用于电池组应用,其中两个 N 沟道 MOSFET 背靠背连接,以确保安全充放电并提供电压保护。 这些产品实现了在 10 V 栅极驱动下还不到 10 mΩ 的超低 Rss(源到源电阻)。 AON6810、AON6812 和 AOC4810 为增强最新一代超极本、平板电脑中的电池组性能提供了理想的解决方案,满足了这些应用中电池寿命优化所必需的低导通损耗要求。